Хувьсах гүйдлийн шүүлтүүр конденсатор (AKMJ-MC)

Товч тодорхойлолт:

Конденсаторын загвар: AKMJ-MC цуврал (AC шүүлтүүр кино конденсатор)

Онцлогууд:

1. Хуурай давирхайг дүүргэх технологи

2. Зэс самар / шураг электрод, тусгаарлагчийн хуванцар бүрээс, суурилуулахад хялбар

3. Хөнгөн цагаан цилиндр савлагаа, байгальд ээлтэй хуурай давирхайгаар битүүмжилсэн

4. Өндөр хүчдэлд тэсвэртэй, өөрийгөө эдгээх шинж чанартай

5. Өндөр долгионы гүйдэл, өндөр dv/dt тэсвэрлэх чадвар

6. том хүчин чадал, жижиг физик хэмжээ

7. Компакт дизайн

Хэрэглээ:

1. Электрон төхөөрөмжид хувьсах гүйдлийн шүүлтүүр

2. Том хэмжээний UPS(Тасралтгүй тэжээлийн хангамж), сэлгэн залгах цахилгаан хангамж, давтамж хувиргагч дахь хувьсах гүйдлийн шүүлтүүр/гармоник долгионы хяналт/чадлын хүчин зүйлийг сайжруулах

Бидэн рүү имэйл илгээнэ үү PDF хэлбэрээр татаж авах

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй

Бүтээгдэхүүний шошго

Техникийн өгөгдөл

Ашиглалтын температурын хүрээ		Ашиглалтын дээд температур: +85℃ Дээд ангиллын температур:+70℃ Доод ангиллын температур: -40℃
багтаамжийн хүрээ	Нэг фазын	20UF～500μF
	гурван фазын	3×40UF～3×200μF
Нэрлэсэн хүчдэл		330V.AC/50Hz～1140V.AC/50Hz
Cap.tol		±5%(J);
Хүчдэлийг тэсвэрлэх		Vt-t	2.15Un /10S
		Vt-c	1000+2×Un V.AC 60S(мин3000V.AC)
Хэт хүчдэл		1.1Un(ачаалах үеийн 30%.)
		1.15 Ун (30мин/өдөр)
		1.2 ун (5 мин/өдөр)
		1.3 ун (1мин/өдөр)
		1.5Un(100мс тутамд, амьдралынхаа туршид 1000 удаа)
Тархалтын хүчин зүйл		tgδ≤0.002 f=100Hz
		tgδ0≤0.0002
Тусгаарлалтын эсэргүүцэл		RS*C≥10000S(AT20℃ 100V.DC)
Галын саатал		UL94V-0
Хамгийн их урам зориг		2000м
		Өндөр нь 2000м-ээс дээш 5000м-ээс доош байх үед багасгах хэмжээг ашиглах талаар бодох шаардлагатай.(1000м-ийн өсөлт бүрт хүчдэл ба гүйдэл 10% буурна)
Наслалт		100000 цаг(Un; Θhospot≤55 °C)
Лавлагааны стандарт		IEC61071;IEC 60831;

Онцлог

1. Хөнгөн цагаан дугуй орон сууцны багц, давирхайгаар битүүмжилсэн;

2. Зэс самар / шурагтай, тусгаарлагдсан хуванцар тагны байрлал;

3. Том хүчин чадалтай, тохируулсан хэмжээс;

4. Өндөр хүчдэлд тэсвэртэй, өөрөө эдгэрэх чадвартай;

5. Өндөр долгионы гүйдэл, өндөр dv / dt тэсвэрлэх чадвар.

Өргөдөл

1. Хувьсах гүйдлийн шүүлтүүрт ашигладаг цахилгаан электрон төхөөрөмжид өргөн хэрэглэгддэг.

2. Өндөр хүчин чадалтай UPS-д сэлгэн залгах тэжээлийн эх үүсвэр, инвертер болон хувьсах гүйдлийн шүүлтүүрт зориулсан бусад төхөөрөмж, гармоник, тэжээлийн хүчин зүйлийн хяналтыг сайжруулна.

Ердийн хэлхээ

mc2

Наслалт

mc3

Нэг фазын тойм зураг

ΦD(мм)	P(мм)	H1(мм)	S	F	M
76	32	20	M12×16	M6×10	M8×20
86	32	20	M12×16	M6×10	M8×20
96	45	20	M12×16	M6×10	M8×20
116	50	22	M12×16	M6×10	M8×20
136	50	30	M16×25	M6×10	M8×20

mc4

mc5

Гурван фазын тойм зураг

ΦD(мм)	H1(мм)	S	F	M	D1	P
116	40	M12×16	M6×10	M8×20	50	43.5
136	30	M16×25	M6×10	M8×20	60	52

mc6

Хүчдэл			Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
80	76	80	40	80	6.4	19.2	30	4	4.2	32	0.5
120	86	80	40	70	8.4	25.2	40	2.8	3.3	32	0.7
150	96	80	45	70	10.5	31.5	50	3.5	1.7	45	0.75
170	76	130	50	60	10.2	30.6	60	3.2	1.3	32	0.75
230	86	130	50	60	13.8	41.4	70	2.4	1.3	32	1.1
300	96	130	50	50	15.0	45.0	75	2.8	1.0	45	1.2
420	116	130	60	50	21.0	63.0	80	1.9	1.2	50	1.6

Хүчдэл			Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
50	76	80	40	90	4.5	13.5	30	4	4.2	32	0.5
65	86	80	50	80	5.2	15.6	40	2.8	3.3	32	0.7
80	96	80	45	80	6.4	19.2	50	3.5	1.7	45	0.75
100	76	130	50	70	7.0	21.0	60	3.2	1.3	32	0.75
130	86	130	45	60	7.8	23.4	70	2.4	1.3	32	1.1
160	96	130	50	50	8.0	24.0	75	2.8	1.0	45	1.2
250	116	130	60	50	12.5	37.5	80	1.9	1.2	50	1.6

Хүчдэл			Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
40	76	130	50	100	4.0	12.0	30	2.8	6.0	32	0.75
50	76	150	45	90	4.5	13.5	35	2.4	5.1	32	0.85
60	86	130	45	80	4.8	14.4	40	2.2	4.3	32	1.1
65	86	150	50	80	5.2	15.6	45	1.8	4.1	32	1.2
75	96	130	50	80	6.0	18.0	50	1.5	4.0	45	1.2
80	96	150	55	75	6.0	18.0	60	1.2	3.5	45	1.3
110	116	130	60	70	7.7	23.1	65	0.8	4.4	50	1.6
120	116	150	65	50	6.0	18.0	75	0.6	4.4	50	1.8

Хүчдэл			Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
25	76	130	50	110	2.8	8.3	35	1.5	8.2	32	0.75
30	76	150	60	100	3.0	9.0	40	1.2	7.8	32	0.85
32	86	130	45	100	3.2	9.6	50	1.15	5.2	32	1.1
45	86	150	50	90	4.1	12.2	50	1.05	5.7	32	1.2
40	96	130	50	90	3.6	10.8	50	1	6.0	45	1.2
60	96	150	60	85	5.1	15.3	60	0.9	4.6	45	1.3
60	116	130	60	80	4.8	14.4	65	0.85	4.2	50	1.6
90	116	150	65	75	6.8	20.3	75	0.8	3.3	50	1.8

Cn (μF)		φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(А)	ESR(мΩ)	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)

	Хүчдэл			Un=400V.AC Us=1200V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
3×	110	116	130	100	60	6.6	19.8	3×50	3×0.78	4.5	43.5	1.6
3×	145	116	180	110	50	7.3	21.8	3×60	3×0.72	3.8	43.5	2.4
3×	175	116	210	120	50	8.8	26.3	3×75	3×0.67	3.5	43.5	2.7
3×	200	136	230	125	40	8.0	24.0	3×85	3×0.6	2.1	52	4.2

	Хүчдэл			Un=500V.AC Us=1520V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
3×	100	116	180	100	80	8.0	24.0	3×45	3×0.78	4.5	43.5	2.6
3×	120	116	230	120	70	8.4	25.2	3×50	3×0.72	3.8	43.5	3
3×	125	136	180	110	40	5.0	15.0	3×70	3×0.67	3.5	52	3.2
3×	135	136	230	130	50	6.8	20.3	3×80	3×0.6	2.1	52	4.2

	Хүчдэл			Un=690V.AC Us=2100V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
3×	49	116	230	120	70	3.4	10.3	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	90	5.0	15.0	3×56	3×0.4	2.1	52	4.2

	Хүчдэл			Un=850V.AC Us=2580V
	Cn (μF)	φD	H	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ip(KA)	(KA)	Ирмс(A)50℃	ESR (mΩ) @ 1KHz	Rth(K/W)	P(мм)	жин (кг)
3×	41.5	116	230	120	80	3.0	9.0	3×56	3×0.55	2.1	43.5	3
3×	55.7	136	230	130	50	0.4	1.2	3×104	3×0.45	1.8	52	4.2