Металлжуулсан хальсан IGBT Snubber конденсатор

Товч тайлбар:

1. Хуванцар хайрцаг, давирхайгаар битүүмжилсэн;

2. Цагаан тугалган бүрсэн зэс оруулгатай утаснууд, IGBT-д хялбар суурилуулалт;

3. Өндөр хүчдэл, бага tgδ, бага температурын өсөлтөд тэсвэртэй;

4. ESL болон ESR бага;

5. Өндөр импульсийн гүйдэл.

Бидэнд имэйл илгээх PDF хэлбэрээр татаж авах

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Бүтээгдэхүүний шошго

SMJ-P цуврал

Цахилгаан электроникийн хэрэглээнд цахилгаан утаснуудын паразит индуктив чанарыг бууруулах зорилгоор снуббер конденсаторыг том гүйдлийн унтраалгын зангилаанд холбодог.

Паразит индуктив чанар нь унтраалттай үед (гүйдэл хаагдсан үед) их хэмжээний огцом өсөлт үүсгэдэг бөгөөд ийм огцом өсөлт нь бүрэлдэхүүн хэсгийн үнэлгээнээс хэтэрсэн тохиолдолд хамгийн муу тохиолдолд улмаар эвдрэх вий гэсэн болгоомжлол бий.

Бага индукцтэй дотоод бүтэц, нэмэлт цутгасан давирхайн хайрцаг, захиалгат төгсгөлийг ашиглан SMJ-P цуврал нь IGBTS-ийг хурдан солих зориулалттай бөгөөд өндөр гүйдлийн өндөр давтамжийн оролтын шүүлтүүр болгон ашиглаж болно.

Техникийн өгөгдөл

Хүчдэл	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	Хэмжээ (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225 он	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316 он	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380 он	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496 он	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600 он	33
Хүчдэл	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	Хэмжээ (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800 он	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815 он	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750 он	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000 он	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974 он	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
Хүчдэл	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750 он	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800 он	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815 он	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750 он	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800 он	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974 он	32
Хүчдэл	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800 он	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800 он	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980 он	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750 он	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800 он	32
Хүчдэл	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600 он	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540 он	32
Хүчдэл	Un 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR(мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000 он	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800 он	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600 он	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28