Тэнхлэгийн GTO снуббер конденсаторууд

Тэнхлэгийн GTO snubber конденсаторууд Онцлох зураг

Товч тайлбар:

Эдгээр конденсаторууд нь GTO хамгаалалтад ихэвчлэн байдаг хүчтэй гүйдлийн импульсийг тэсвэрлэхэд тохиромжтой. Тэнхлэгийн холболтууд нь цуваа индуктив чанарыг бууруулж, механик бэхэлгээний бат бөх, найдвартай цахилгаан холбоо барих, ашиглалтын явцад үүссэн дулааныг сайн дулааны ялгаруулалтыг хангах боломжийг олгодог.

Бидэнд имэйл илгээх PDF хэлбэрээр татаж авах

Бүтээгдэхүүний дэлгэрэнгүй мэдээлэл

Бүтээгдэхүүний шошго

Техникийн өгөгдөл

Ашиглалтын температурын хүрээ	-40℃ -аас +85℃ хүртэл
багтаамжийн хүрээ	0.1μF～5.6μF
Нэрлэсэн хүчдэл	630V.DC～2000V.DC
Капитол	±5%(Ж) ; ±10%(К)
Хүчдэлийг тэсвэрлэх	1.5Un DC/10S
Тархалтын хүчин зүйл	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
Тусгаарлалтын эсэргүүцэл	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S үед) C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S температурт)
Цохилтын гүйдлийг тэсвэрлэх	өгөгдлийн хуудсыг үзнэ үү
Амьдралын дундаж наслалт	100000 цаг(Un; Θhospot≤85°C)
Лавлах стандарт	IEC 61071 ; IEC 61881 ;GB/T17702

Аппликейшн

1. IGBT Snubber, GTO snubber

2. Цахилгаан электрон тоног төхөөрөмжид оргил хүчдэл, оргил гүйдлийн шингээлтийн хамгаалалтын үед өргөн хэрэглэгддэг.

Тойм зураг

SMJ-TE тэнхлэгийн конденсатор
Хүчдэл		Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V
Багтаамж (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100KHz (A)
0.22	32	9.5	17.5	0.8	16	23	300	66	5.3
0.33	32	12	20	1	13	22	200	66	6.5
0.47	32	14.5	22.5	1	11	21	220	103.4	8.3
0.68	32	18	26	1	10	20	180	122.4	9.5
1	37	11	19	1	8	28	150	150	7.6
1.5	37	13.5	21.5	1	7	27	150	225	9.5
2	37	16	24	1.2	6	24	130	260	10.2
2.5	37	18	26	1.2	5.5	25	120	300	10.5
3	37	20	28	1.2	5	30	110	330	10.8
3.3	37	21	29	1.2	4.5	30	110	363	11.2
4	57	27	36.5	1.2	4.2	32	220	880	12.8
4.7	57	28	40.5	1.2	3.8	32	200	940	13.8
5.6	57	31	33.5	1.2	3.5	32	185	1036	13.5
6.8	37	29	41.5	1.2	2.5	28	100	680	13.8
6.8	57	34	46.5	1.2	2.8	30	180	1224 он	14.2
Хүчдэл		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;US 1500V
Багтаамж (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100KHz (A)
0.15	32	10	17.5	0.8	20	20	1100	165	5.5
0.22	32	12	20	1	15	21	1000	220	7.3
0.33	32	15.5	23	1	13	21	1000	330	8.7
0.47	32	18.5	26	1.2	10	23	1000	470	10.5
0.47	44	14	22	1.2	9	24	900	423	9.5
0.68	32	20	32.5	1.2	7	25	900	612	10.8
0.68	44	17	25	1.2	6	26	800	544	10.2
1	44	21.5	29.5	1.2	5.6	27	900	900	11
1.5	44	26	35.5	1.2	5	29	900	1350 он	12
1.5	57	21	29	1.2	5	30	700	1050	12.2
2	44	28	40.5	1.2	4.8	30	800	1600 он	13.2
2	57	24	33.5	1.2	4.8	32	600	1200	12.8
2.2	44	30	42.5	1.2	4.2	32	600	1320 он	13.8
2.2	57	25	34.5	1.2	4.2	32	500	1100	13.5
2.5	57	25	38	1.2	4	33	500	1250	14.2
3	57	28	40.5	1.2	3.5	34	480	1440 он	15.6
3.3	57	29.5	42	1.2	3.2	35	450	1485 он	16.5
3.5	57	30.5	43	1.2	3.2	35	450	1575 он	17.2
4.7	57	35	50.5	1.2	3	36	420	1974 он	17.8
5.6	57	38.5	65	1.2	2.8	38	400	2240	18.2
Хүчдэл		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;US 1800V
Багтаамж (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	8.5	16	0.8	20	20	1300	130	6
0.15	32	10	17.5	1	18	20	1200	180	7.5
0.22	32	13	21	1	15	22	1200	264	8.3
0.33	32	16	24	1	12	23	1200	396	9
0.47	32	17.5	30	1.2	10	23	1200	564	9.5
0.47	44	15	23	1.2	9	26	1100	517	9.8
0.68	32	21.5	34	1.2	8	25	1100	517	10
0.68	44	18.5	26.5	1.2	6	27	1000	680	11.7
1	44	23	31	1.2	5	28	1000	1000	12.4
1.5	44	26.5	39	1.2	5	30	950	1425 он	13.5
1.5	57	22.5	30.5	1.2	5	29	900	1350 он	12.6
2	44	29	45	1.2	5	30	800	1600 он	14.2
2	57	26.5	34.5	1.2	4.8	30	750	1500	13.8
2.2	44	31	47	1.2	4.2	32	800	1760 он	14.5
2.2	57	27.5	35.5	1.2	4.2	35	700	1540 он	14.5
3	57	29	44.5	1.2	3.2	37	500	1500	17.2
3.3	57	30.5	46	1.2	3.2	38	450	1485 он	17.8
4.7	57	38	53.5	1.2	3	38	420	1974 он	18.2
Хүчдэл		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;US 2550V
Багтаамж (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100KHz (A)
0.1	32	9.5	17.5	0.8	18	25	1300	130	7.5
0.15	32	12	20	1	16	24	1200	180	8.5
0.22	32	15	23	1	15	24	1200	264	9.3
0.33	32	18.5	26.5	1	12	22	1200	396	9.9
0.33	44	13.5	21.5	1.2	12	29	1100	363	10.2
0.47	44	16	24	1.2	9	28	1000	470	11.2
0.68	44	20	28	1.2	8	27	1000	680	11.7
1	44	24	33.5	1.2	5.6	26	900	900	12.4
1	57	19.5	27.5	1.2	6	33	850	850	10.8
1.5	44	28	40.5	1.2	4.8	25	800	1200	13.5
1.5	57	24	32	1.2	5	33	750	1125	13.5
2	44	31.5	47	1.2	4.5	24	750	1500	14.2
2	57	27.5	37	1.2	4.8	32	650	1300	12.8
2.2	44	33.5	49	1.2	4.5	34	700	1540 он	15.6
2.2	57	29	40	1.2	4.2	32	600	1320 он	14.5
3	57	31	46.5	1.2	4	30	560	1680 он	17.2
3.3	57	33	48.5	1.2	3.2	29	500	1650 он	17.6
4	57	37	52.5	1.2	3	28	450	1800 он	18.2
Хүчдэл		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;US 3000V
Багтаамж (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100KHz (A)
0.068	32	9	17	0.8	25	23	1500	102	6.9
0.1	32	11.5	19.5	1	18	22	1500	150	8.2
0.1	37	10.5	18.5	1	18	26	1450 он	145	8
0.22	32	17.5	25.5	1.2	15	21	1400	308	9.1
0.22	37	16	24	1.2	15	25	1300	286	9
0.33	37	20	28	1.2	12	24	1250	412.5	9.5
0.33	44	18	26	1.2	12	30	1200	396	10.2
0.47	44	19.5	32	1.2	10	29	1100	517	12.4
0.68	44	24	36.5	1.2	8	28	1000	680	14.2
0.68	57	18.5	31	1.2	8	27	900	612	14.2
1	57	23.5	36	1.2	6	31	950	950	14.5
1.5	57	29.5	42	1.2	5	31	850	1275 он	14.5
2	57	33	48.5	1.2	4.2	31	750	1500	16.5
2.2	57	35	50.5	1.2	4	30	700	1540 он	17.8
Хүчдэл		Un 3000V.DC;Urms 750Vac;US 4500V
Багтаамж (uF)	L (мм±1)	Т (мм±1)	H (мм±1)	φd (мм)	ESR @100KHz (мΩ)	Англи хэл (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @25℃ @100KHz (A)
0.047	44	13.5	21.5	1	22	20	2000 он	94	8.5
0.068	44	17	25	1	20	20	1800 он	122.4	10.5
0.1	44	20.5	28.5	1.2	18	20	1500	150	12.4
0.15	44	26	34	1.2	16	22	1350 он	202.5	13.8
0.22	44	29	41.5	1.2	14.5	22	1200	264	14.5